[19a-C41-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-C41-1] Investigation of Current Transport Mechanism of Carbon-Doped GaN Schottky Barrier Diodes

〇Yusuke Hirayama¹, Mariko Shimizu³, Toshiki Hikosaka³, Hajime Nago³, Yosuke Kajiwara³, Shinya Nunoue³, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.Toshiba Corp.)

Keywords:

GaN,SBD

Si基板GaN-HEMTでは、基板（バッファ層）とHEMT構造の間に高抵抗層が必要である。その高抵抗層として炭素ドーピングGaNが用いられる。そのため、Si基板GaN-HEMTの性能向上のために炭素ドーピングGaNの電気的特性の理解が重要である。本研究において、炭素を高濃度ドーピングした疑似縦型ショットキーバリアダイオードの電気的特性の評価を行ったので報告する。