[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[19a-C41-1] Si基板上炭素ドープGaNショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の検討

〇平山 祐輔¹、清水 真理子³、彦坂 年輝³、名古 肇³、梶原 瑛祐³、布上 真也³、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東芝)

キーワード：

窒化ガリウム、ショットキーバリアダイオード

Si基板GaN-HEMTでは、基板（バッファ層）とHEMT構造の間に高抵抗層が必要である。その高抵抗層として炭素ドーピングGaNが用いられる。そのため、Si基板GaN-HEMTの性能向上のために炭素ドーピングGaNの電気的特性の理解が重要である。本研究において、炭素を高濃度ドーピングした疑似縦型ショットキーバリアダイオードの電気的特性の評価を行ったので報告する。