[19a-C41-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[19a-C41-10] Impact of post metallization annealing in EID AlGaN/GaN MOS-HEMT

〇Takuma Nanjo¹, Masayuki Furuhashi¹, Tatsuro Watahiki¹, Toshiyuki Oishi², Takashi Egawa³ (1.Mitsubishi Electric Corporation, 2.Saga University, 3.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:

GaN,EID

完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロ界面に2DEGを選択的に誘起できる新規技術を適用したエッチングフリーで作製できるプレーナ型EID-HEMTにおける電極形成後の熱処理が特性に与える影響を調査した。その結果、熱処理によってしきい値が正側2V程度シフトしノーマリオフ動作が実現する一方ドレイン電流は半減した。SiO2/SiN/Al2O3からなる誘電膜中の固定電荷もしくは残留応力が変化したことが原因と考えられる。