[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

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[19a-C41-10] EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける電極形成後アニールの影響

〇南條 拓真¹、古橋 壮之¹、綿引 達郎¹、大石 敏之²、江川 孝志³ (1.三菱電機株式会社、2.佐賀大、3.名工大)

キーワード：

窒化ガリウム、EID

完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロ界面に2DEGを選択的に誘起できる新規技術を適用したエッチングフリーで作製できるプレーナ型EID-HEMTにおける電極形成後の熱処理が特性に与える影響を調査した。その結果、熱処理によってしきい値が正側2V程度シフトしノーマリオフ動作が実現する一方ドレイン電流は半減した。SiO2/SiN/Al2O3からなる誘電膜中の固定電荷もしくは残留応力が変化したことが原因と考えられる。