[19a-C41-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-C41-11] Exploring Device Design of GaN HEMT-Based Gated-Anode Diodes for High-Efficiency Microwave Rectification

〇Tomoya Watanabe¹, Hidemasa Takahashi¹, Akio Wakejima³, Yuji Ando^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.Kumamoto Univ.)

Keywords:

AlGaN/GaN HEMT,Microwave wireless power transmission,Gated-anode diode

マイクロ波無線電力伝送に向けた受電整流デバイスとして、我々はAlGaN/GaN HEMTのゲートとドレインを短絡させた構造を持つゲーテッドアノードダイオード(GAD)の開発を進めている。GADは高耐圧、低オン抵抗、低オフ時容量を実現できるデバイスとして期待されている。本発表では、整流回路におけるGADの損失の要因分析を行うことで、整流効率向上に向けた素子構造改良の方針を検討したので報告する。