[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[19a-C41-11] マイクロ波整流用GaN HEMT構造ゲーテッドアノードダイオードの整流効率向上に向けた素子構造の検討

〇渡邉 智也¹、高橋 英匡¹、分島 彰男³、安藤 裕二^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.熊大工)

キーワード：

AlGaN/GaN HEMT、マイクロ波無線電力伝送、ゲーテッドアノードダイオード

マイクロ波無線電力伝送に向けた受電整流デバイスとして、我々はAlGaN/GaN HEMTのゲートとドレインを短絡させた構造を持つゲーテッドアノードダイオード(GAD)の開発を進めている。GADは高耐圧、低オン抵抗、低オフ時容量を実現できるデバイスとして期待されている。本発表では、整流回路におけるGADの損失の要因分析を行うことで、整流効率向上に向けた素子構造改良の方針を検討したので報告する。