[19a-C41-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[19a-C41-9] Over 30 W/mm InAlGaN-HEMT in X-band

〇Atsushi Yamada¹, Yuichi Minoura¹, Naoko Kurahashi¹, Yoichi Kamada¹, Toshihiro Ohki¹, Masaru Sato¹, Norikazu Nakamura¹ (1.Fujitsu Ltd.)

Keywords:

Nitride semiconductor,High electron mobility transistor,InAlGaN

InAlGaN供給層の表面を保護するパッシベーション膜について、一般的に用いられているプラズマ化学気相堆積（PECVD）法とプラズマダメージの無い熱CVD（TCVD）法によるSiN_x膜を比較しデバイス性能への影響を調査した。PECVD SiN_x膜を成膜した場合、2DEG移動度が大きく減少するが、TCVD SiN_x膜では2DEG移動度の減少が抑制される。そのため、TCVD SiN_x膜を用いることによりInAlGaN-HEMTの電気特性が大きく改善しデバイス性能が向上した。改善したInAlGaN-HEMTの出力電力は31 W/mm（8 GHz、90 V）と従来のAlGaN-HEMT を凌駕する世界トップの性能を達成した。