[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[19a-C41-9] 30 W/mm超 X帯InAlGaN-HEMT

〇山田 敦史¹、美濃浦 優一¹、倉橋 菜緒子¹、鎌田 陽一¹、多木 俊裕¹、佐藤 優¹、中村 哲一¹ (1.富士通)

キーワード：

窒化物半導体、高電子移動度トランジスタ、InAlGaN

InAlGaN供給層の表面を保護するパッシベーション膜について、一般的に用いられているプラズマ化学気相堆積（PECVD）法とプラズマダメージの無い熱CVD（TCVD）法によるSiN_x膜を比較しデバイス性能への影響を調査した。PECVD SiN_x膜を成膜した場合、2DEG移動度が大きく減少するが、TCVD SiN_x膜では2DEG移動度の減少が抑制される。そのため、TCVD SiN_x膜を用いることによりInAlGaN-HEMTの電気特性が大きく改善しデバイス性能が向上した。改善したInAlGaN-HEMTの出力電力は31 W/mm（8 GHz、90 V）と従来のAlGaN-HEMT を凌駕する世界トップの性能を達成した。