[19a-C42-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[19a-C42-9] Fabrication and evaluation of Mg-containing GaN sputtering targets

〇Erisa Kano¹, Koo Bando¹, Hidehiko Misaki¹, Yoshihiro Ueoka¹, Masami Mesuda¹ (1.Tosoh Corporation)

Keywords:

gallium nitride,sputtering method,semiconductor

スパッタ法を用いたGaN成膜法は、低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。東ソーでは、独自の焼結技術による高密度・低酸素なGaNターゲットを開発しており、これまでにスパッタGaN薄膜上にてHEMTデバイスが駆動することを報告している。過去の講演会にてSi含有GaNターゲットにより低抵抗なn型GaN薄膜が作製可能であることを報告した。本研究では、p型ドーパントであるMgを含有したGaNターゲットについて検討を行った。