[19a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30

[19a-C42-9] Mg含有GaNスパッタリングターゲットの作製と評価

〇加納 絵梨沙¹、板東 廣朗¹、三崎 日出彦¹、上岡 義弘¹、召田 雅実¹ (1.東ソー株式会社)

キーワード：

窒化ガリウム、スパッタリング法、半導体

スパッタ法を用いたGaN成膜法は、低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。東ソーでは、独自の焼結技術による高密度・低酸素なGaNターゲットを開発しており、これまでにスパッタGaN薄膜上にてHEMTデバイスが駆動することを報告している。過去の講演会にてSi含有GaNターゲットにより低抵抗なn型GaN薄膜が作製可能であることを報告した。本研究では、p型ドーパントであるMgを含有したGaNターゲットについて検討を行った。