[19p-A23-1~5] Advancements in Junction Technologies and Cutting-Edge Si-LSIs: Past, Present, and Future

2:15 PM - 3:00 PM JST(5:15 AM - 6:00 AM UTC)

[19p-A23-2] Challenges and Development in Interface Engineering of Metal/Group-IV Semiconductor Contacts for Advanced ULSI Electronics

〇Osamu Nakatsuka^1,2, Shigehisa Shibayama¹, Mitsuo Sakashita¹, Masashi Kurosawa¹ (1.Grad. Sch. Eng., Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

semiconductor,metal/semiconductor interface,contact resistance

最先端Si、Geトランジスタの金属/半導体コンタクトはナノメートルのスケールに達し、均一平坦性、低コンタクト抵抗率、熱的安定性等、固体物理学上も究極的性能を要求される。その実現には、平衡固溶限界を超える超高濃度のドーピングや適切なショットキー障壁高さ低減に関わる工学技術が不可欠である。本講演では、我々が開発してきた様々な第三元素添加や界面構造制御、高濃度ドーピング等の接合形成技術について報告する。