[19p-A23-1~5] 接合技術と先端シリコン集積回路の展開：過去、現在、未来

14:15 〜 15:00

[19p-A23-2] 最先端集積回路における金属/IV族半導体界面物性制御の課題と展開

〇中塚 理^1,2、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹ (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

半導体、金属/半導体界面、コンタクト抵抗

最先端Si、Geトランジスタの金属/半導体コンタクトはナノメートルのスケールに達し、均一平坦性、低コンタクト抵抗率、熱的安定性等、固体物理学上も究極的性能を要求される。その実現には、平衡固溶限界を超える超高濃度のドーピングや適切なショットキー障壁高さ低減に関わる工学技術が不可欠である。本講演では、我々が開発してきた様々な第三元素添加や界面構造制御、高濃度ドーピング等の接合形成技術について報告する。