[19p-A31-1~18] 17.3 Layered materials

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[19p-A31-10] [INVITED] Introduction of Se defects on the surface by UV-O₃ exposure and vacuum annealing to realize ALD on WSe₂

〇Takuya Kojima¹, Daisuke Horiba¹, Mengnan Ke¹, Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ.)

Keywords:

2 dimensional semiconductor,atomic layer deposition,UV-O3 exposure

遷移金属ジカルコゲナイド（TMDC）はVLSI用チャネル材料として注目されているが、表面に未結合種がない為、高誘電率絶縁層の原始層堆積法による成膜が困難である。本研究では、O₃暴露による表面改質に注目し、三層WSe₂の表面にSe欠陥を導入する為、室温でUV-O₃暴露を行った。O₃暴露と真空アニール後の電界効果トランジスタ特性、XPS、AFM像を評価し、シード層としての応用可能性を議論する。