[19p-A31-1~18] 17.3 層状物質

16:00 〜 16:15

[19p-A31-10] [分科内招待講演] WSe₂上のALD実現に向けたUV-O₃暴露と真空アニールによる最表面へのSe欠陥導入

〇小島 拓也¹、堀場 大輔¹、柯 梦南¹、青木 伸之¹ (1.千葉大工)

キーワード：

二次元半導体、原子層堆積法、UV-O3暴露

遷移金属ジカルコゲナイド（TMDC）はVLSI用チャネル材料として注目されているが、表面に未結合種がない為、高誘電率絶縁層の原始層堆積法による成膜が困難である。本研究では、O₃暴露による表面改質に注目し、三層WSe₂の表面にSe欠陥を導入する為、室温でUV-O₃暴露を行った。O₃暴露と真空アニール後の電界効果トランジスタ特性、XPS、AFM像を評価し、シード層としての応用可能性を議論する。