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[19p-A35-4]Crystal growth of group IV semiconductor thin-films during ultra-rapid annealing and their application to device fabrication

〇Seiichiro Higashi1 (1.Hiroshima Univ.)
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Keywords:

thin-film semiconductor,crystal growth

超急速熱処理によるシリコンおよびゲルマニウム薄膜の結晶化について、ナノ秒~ミリ秒時間のその場観察技術による成長過程の観察と結晶形態について議論する。結晶化した薄膜中の欠陥と電気特性の関係およびトランジスタ応用について述べる。

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