[19p-A35-1~10] 薄膜半導体の結晶化とデバイス応用

14:40 〜 15:10

[19p-A35-4] 超急速熱処理におけるIV族半導体薄膜の結晶成長とデバイス応用

〇東 清一郎¹ (1.広大院先進理工)

キーワード：

薄膜半導体、結晶成長

超急速熱処理によるシリコンおよびゲルマニウム薄膜の結晶化について、ナノ秒～ミリ秒時間のその場観察技術による成長過程の観察と結晶形態について議論する。結晶化した薄膜中の欠陥と電気特性の関係およびトランジスタ応用について述べる。