[19p-B1-1~16] 13.3 Insulator technology

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[19p-B1-3] Surface oxidation model for Si wafers: (i) α-Quartz -β-Cristobalite mixed crystal model

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.Globalwafers Japan Co. Ltd, 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Oxidation,Cristobalite

Si 結晶と既知のSiO2 結晶の原子構造を比較・参照したうえで，Si 結晶の酸化に際し，格子間Si の放出を伴わずにSi 結晶の構造を引き継いだβ-Cristobalite (C)と，格子間Si 放出により生成するα-Quartz (Q)の「混晶」モデルを提唱する．