[19p-B1-1~16] 13.3 Insulator technology

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[19p-B1-4] Surface oxidation model for Si wafers: (ii) Emission of interstitial Si atoms

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.Globalwafers Japan Co. Ltd, 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Oxidation,First Principles Calculation

異方的 Oiの整列を十分表現可能な大きさの界面を持つQuartz/Si接合モデルを用い，界面におけるOi配列の安定性について調査した．そして，このOiが整列する近傍のSiサイトで，原子空孔を形成するエネルギーがバルク中のエネルギーよりも低下し，フレンケルペアの自発的に発生しやすい状況となることが判明したので，報告する．