講演情報
[19p-B1-4]Siウェーハ表面酸化モデル (ii) 格子間 Si原子の 放出について
〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)
キーワード：
シリコン、酸化、第一原理計算
異方的 Oiの整列を十分表現可能な大きさの界面を持つQuartz/Si接合モデルを用い，界面におけるOi配列の安定性について調査した．そして，このOiが整列する近傍のSiサイトで，原子空孔を形成するエネルギーがバルク中のエネルギーよりも低下し，フレンケルペアの自発的に発生しやすい状況となることが判明したので，報告する．
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