[19p-B1-1~16] 13.3 Insulator technology

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-B1-5] Radiation Effects on SiO₂/Si Systems Analyzed by Capacitance–Voltage Measurement

〇Tomohiro Kato¹, Takahiro Goya¹, Shohei Yura¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

Plasma induced damage,microwave,Capacitance-voltage measurement

半導体デバイス製造時に被加工材料は電磁波に曝されており，電磁波照射による材料特性変化を理解することは重要である．本研究では，プラズマから照射される真空紫外光や，マイクロ波をSiO₂/Si構造に対して照射した．その後，金属–酸化膜–半導体構造を作製し，高周波電気容量–電圧（C–V）測定から，電磁波照射による帯電状態の変化や欠陥形成について考察した．