講演情報
[19p-B1-5]電気容量解析を用いたSiO2/Si構造に対する電磁波照射効果の検討
〇加藤 寛大1、郷矢 崇浩1、涌羅 奨平1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
キーワード：
プラズマ誘起ダメージ、マイクロ波、電気容量ー電圧特性
半導体デバイス製造時に被加工材料は電磁波に曝されており，電磁波照射による材料特性変化を理解することは重要である．本研究では，プラズマから照射される真空紫外光や，マイクロ波をSiO2/Si構造に対して照射した．その後，金属–酸化膜–半導体構造を作製し，高周波電気容量–電圧（C–V）測定から，電磁波照射による帯電状態の変化や欠陥形成について考察した．
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