[19p-B1-1~16] 13.3 Insulator technology

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[19p-B1-7] Dipole Layer Formation at HfO₂/SiO₂ Interface Simulated by Molecular Dynamics

〇(M2)Kentaro Hirai¹, Machika Naito¹, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:

high-k oxide,gate dielectrics,molecular dynamics

High-k 絶縁膜とSi 基板との間に形成される SiO₂ 層との界面では、High-kゲートスタックのフラットバンドシフトを引き起こす電気的ダイポール層が生じる。この起源については、酸素密度差緩和モデルが、様々なHigh-k 材料に適用できるモデルとして注目されてきた。本研究では、HfO₂/SiO₂系に適用可能なBMHポテンシャルを用意し、HfO₂/SiO₂ 界面のMD計算を行った。その結果、期待通りOイオンの移動によって界面ダイポール層が形成される様子が再現された。