[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

14:30 〜 14:45

[19p-B1-7] 分子動力学計算によるHfO₂/SiO₂界面ダイポール層の再現

〇(M2)平井 健太郎¹、内藤 真慈¹、渡邉 孝信¹ (1.早大理工)

キーワード：

High-k膜、ゲート絶縁膜、分子動力学

High-k 絶縁膜とSi 基板との間に形成される SiO₂ 層との界面では、High-kゲートスタックのフラットバンドシフトを引き起こす電気的ダイポール層が生じる。この起源については、酸素密度差緩和モデルが、様々なHigh-k 材料に適用できるモデルとして注目されてきた。本研究では、HfO₂/SiO₂系に適用可能なBMHポテンシャルを用意し、HfO₂/SiO₂ 界面のMD計算を行った。その結果、期待通りOイオンの移動によって界面ダイポール層が形成される様子が再現された。