[19p-B1-1~16] 13.3 Insulator technology

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-B1-9] Fabrication of Germanium Gate Stack at Low Temperature using Nonheated Atomic Layer Deposition

〇Taisei Aso¹, Hajime Kuwazuru¹, Dong Wang², Keisuke Yamamoto² (1.IGSES, Kyushu Univ., 2.FES, Kyushu Univ.)

Keywords:

atomic layer deposition,germanium,gate stack

低温デバイスプロセスは、GeおよびGeSnを用いた新規デバイス応用に必要である。原子層堆積(ALD)はゲートスタックやパッシベーション層の絶縁層形成に研究されているが、低温ALDは膜中のくぼみ等の問題で電子デバイスには適用されていない。本研究では、非加熱ALD（<100 °C）と低温PDA（100-250 °C）を用いてAl2O3を形成し、Ge MOSキャパシタを作製した。非加熱ALDの前にGeO2層を挿入することで電気的特性が向上し、膜中にくぼみのないAl2O3膜が確認できた。