[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[19p-B1-9] 非加熱ALD法を用いたGe上へのゲートスタック低温形成

〇麻生 大聖¹、鍬釣 一¹、王 冬²、山本 圭介² (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)

キーワード：

原子層堆積、ゲルマニウム、ゲートスタック

低温デバイスプロセスは、GeおよびGeSnを用いた新規デバイス応用に必要である。原子層堆積(ALD)はゲートスタックやパッシベーション層の絶縁層形成に研究されているが、低温ALDは膜中のくぼみ等の問題で電子デバイスには適用されていない。本研究では、非加熱ALD（<100 °C）と低温PDA（100-250 °C）を用いてAl2O3を形成し、Ge MOSキャパシタを作製した。非加熱ALDの前にGeO2層を挿入することで電気的特性が向上し、膜中にくぼみのないAl2O3膜が確認できた。