[19p-B3-1~22] 6.2 Carbon-based thin films

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-B3-19] Fabrication of p-type inversion channel MOSFETs with atomically flat Al₂O₃/diamond (111) interface

〇Kazuki Kobayashi¹, Sato Kai¹, Kato Hitomitsu², Ogura Masahiko², Makino Toshiharu², Matsumoto Tsubasa¹, Ichikawa Kimiyoshi¹, Hayashi Kan¹, Inokuma Takao¹, Yamasaki Satoshi¹, Christoph Nebel^1,3, Tokuda Norio¹ (1.Kanazawa Univ., 2.AIST, 3.Diacara)

Keywords:

diamond,inversion channel MOSFET,interface

原子的に平坦なAl₂O₃/ダイヤモンド(111)界面を持つp型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを作製した。これにより、最大ドレイン電流密度20.0 mA/mm、電界効果移動度30.6 cm²/Vs、D_it値1.2×10¹² cm^-2eV^-1を達成した。D_it値は従来のMOSFETより低下したが、移動度の向上は理論値に比べて限定的であった。これについては当日議論する。