[19p-B3-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[19p-B3-19] 原子的に平坦なAl₂O₃/ダイヤモンド（111）界面を持つp型反転層MOSFETの作製

〇小林 和樹¹、佐藤 解¹、加藤 宙光²、小倉 政彦²、牧野 俊晴²、松本 翼¹、市川 公善¹、林 寛¹、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、Christoph Nebel^1,3、德田 規夫¹ (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)

キーワード：

ダイヤモンド、反転層チャネルMOSFET、界面

原子的に平坦なAl₂O₃/ダイヤモンド(111)界面を持つp型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを作製した。これにより、最大ドレイン電流密度20.0 mA/mm、電界効果移動度30.6 cm²/Vs、D_it値1.2×10¹² cm^-2eV^-1を達成した。D_it値は従来のMOSFETより低下したが、移動度の向上は理論値に比べて限定的であった。これについては当日議論する。