[19p-B5-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[19p-B5-16] Epitaxial growth of SiGe with thick Ge-rich regions on Si substrates by screen-printing and annealing

〇Kohei Ito¹, Ryoji Katsube¹, Yuki Imai², Satoru Miyamoto^1,2, Shota Suzuki³, Hideaki Minamiyama³, Marwan Dhamrin^3,4, Noritaka Usami^1,2,5 (1.Grad.Eng. Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.Toyo Aluminium K.K., 4.Grad.Eng. Osaka Univ., 5.InFuS Nagoya Univ.)

Keywords:

silicon-germanium,Epitaxial growth,Crystal growth

多接合型太陽電池はボトムセルに利用されるGeやGaAs基板が非常に高価であるため、宇宙用途に限定され大規模な普及には至っていない。安価なSi基板上に80%程度のGe組成をもつ高品質な歪み緩和SiGe薄膜が形成できれば、III-V族上層セルとの格子整合性を満たす仮想基板材料としての応用が期待される。本研究では、凝固シミュレーションに基づきAl-Geペーストの組成と焼成温度を調整することで、厚いGe-rich領域を伴うSiGe薄膜の作製を試みた。