[19p-B5-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

17:00 〜 17:15

[19p-B5-16] スクリーン印刷と焼成による厚いGe-rich領域を伴うSiGe薄膜のSi基板上のエピタキシャル成長

〇伊藤 耕平¹、勝部 涼司¹、今井 友貴²、宮本 聡^1,2、鈴木 紹太³、南山 偉明³、ダムリン マルワン^3,4、宇佐美 徳隆^1,2,5 (1.名大院工、2.名大未来機構、3.東洋アルミ、4.阪大院工、5.名大未材研)

キーワード：

SiGe、エピタキシャル成長、結晶成長

多接合型太陽電池はボトムセルに利用されるGeやGaAs基板が非常に高価であるため、宇宙用途に限定され大規模な普及には至っていない。安価なSi基板上に80%程度のGe組成をもつ高品質な歪み緩和SiGe薄膜が形成できれば、III-V族上層セルとの格子整合性を満たす仮想基板材料としての応用が期待される。本研究では、凝固シミュレーションに基づきAl-Geペーストの組成と焼成温度を調整することで、厚いGe-rich領域を伴うSiGe薄膜の作製を試みた。