[19p-C41-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-C41-16] Threshold Voltage and Mobility in Counter-doped SiC P-channel MOSFETs

〇Ryoma Ito¹, Akira Inoue¹, Kyota Mikami¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

SiC p-channel MOSFET,counter-doping,Threshold voltage

カウンタードープはしきい値電圧低減に有望であるが、SiC pチャネルMOSFETにおいてカウンタードープに関する報告は限定的である。本研究では、Al⁺注入によるカウンタードープがSiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧および電界効果移動度に与える影響を調べた。Alの面密度が0から3.3×10¹² cm⁻²へと増加するにつれて、しきい値電圧は−6.6 Vから−3.8 Vまで低減した。また、電界効果移動度はAlの面密度によらず一定であった。