[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[19p-C41-16] SiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧と移動度に与えるカウンタードープの効果

〇伊東 遼馬¹、井上 瑛¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：

SiC pチャネルMOSFET、カウンタードープ、しきい値電圧

カウンタードープはしきい値電圧低減に有望であるが、SiC pチャネルMOSFETにおいてカウンタードープに関する報告は限定的である。本研究では、Al⁺注入によるカウンタードープがSiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧および電界効果移動度に与える影響を調べた。Alの面密度が0から3.3×10¹² cm⁻²へと増加するにつれて、しきい値電圧は−6.6 Vから−3.8 Vまで低減した。また、電界効果移動度はAlの面密度によらず一定であった。