[19p-C41-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)

[19p-C41-17] Doping-dependent fixed charges in SiC MOS

〇Kyota Mikami¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

SiC MOSFET,Threshold voltage

MOS構造中に存在する固定電荷は、MOSFETのしきい値電圧に強く影響する。Si MOSでは、固定電荷密度はボディ層濃度に依存せず、正電荷であることが古くから知られている。しかし、SiC MOSの場合、p型ボディ層では正、n型ボディ層では負の固定電荷が生成され、その密度がボディ層濃度に依存することが判明した。講演では、さまざまなデバイスプロセスを通じて、その起源の解明を試みる。