[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:30 〜 17:45

[19p-C41-17] SiC MOS 構造中に生成されるボディ層濃度に依存した固定電荷

〇三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：

SiC MOSFET、しきい値電圧

MOS構造中に存在する固定電荷は、MOSFETのしきい値電圧に強く影響する。Si MOSでは、固定電荷密度はボディ層濃度に依存せず、正電荷であることが古くから知られている。しかし、SiC MOSの場合、p型ボディ層では正、n型ボディ層では負の固定電荷が生成され、その密度がボディ層濃度に依存することが判明した。講演では、さまざまなデバイスプロセスを通じて、その起源の解明を試みる。