[19p-C41-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-C41-19] Interface properties and reliability of NO-nitrided SiC(0-33-8) MOS structures

〇Hayato Iwamoto¹, Takuma Kobayashi¹, Hirohisa Hirai², Mitsuru Sometani^1,2, Mitsuo Okamoto², Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:

SiC MOS structure,SiC MOS NO nitridation,SiO2/SiC(0-33-8) structure

NO窒化を施した非基底面(0-33-8)面 (R面)は基底面に比べて高い移動度を示す。過去に、窒化時間を変えて作製したR面MOS構造に対してXPS分析及び電気特性評価を行い、界面窒素量の増加とともに界面準位密度が低減することを報告した。一方、価電子帯近傍特性や長期信頼性に対するNO窒化の影響は明らかではない。本発表では、窒化R面SiC MOS構造の価電子帯近傍特性と信頼性を調査したので報告する。