[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[19p-C41-19] NO窒化SiC(0-33-8) MOS構造の界面特性及び信頼性評価

〇岩本 隼登¹、小林 拓真¹、平井 悠久²、染谷 満^1,2、岡本 光央²、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：

SiC MOS構造、SiC MOS NO窒化処理、SiO2/SiC(0-33-8) 構造

NO窒化を施した非基底面(0-33-8)面 (R面)は基底面に比べて高い移動度を示す。過去に、窒化時間を変えて作製したR面MOS構造に対してXPS分析及び電気特性評価を行い、界面窒素量の増加とともに界面準位密度が低減することを報告した。一方、価電子帯近傍特性や長期信頼性に対するNO窒化の影響は明らかではない。本発表では、窒化R面SiC MOS構造の価電子帯近傍特性と信頼性を調査したので報告する。