[19p-C41-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

7:15 PM - 7:30 PM JST(10:15 AM - 10:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-C41-24] Improved gate bias stress stability of SiC MOSFETs formed by high temperature oxidation

〇(M1)Qiang Chen¹, Takuma Kobayashi¹, Hirohisa Hirai², Mitsuru Sometani^1,2, Mitsuo Okamoto², Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:

SiC MOSFET,Negative Bias Temperature Instability,Channel Mobility

ゲートストレスによってMOSFETのサブスレッショルドスイング及び移動度が劣化することが知られているが，ドライ酸化や業界標準のNO窒化プロセスでMOS構造を作製したSiC MOSFETではストレス印加に伴う劣化が顕著であるのに対して，超高温低酸素分圧試料では移動度最大値の劣化が14%程度に抑えられたことを確認し，超高温酸化はストレス耐性の観点でも優れたゲート酸化膜形成プロセスであることを報告する．