講演情報
[19p-C41-24]高温酸化プロセスによるSiC MOSFETのゲートストレス耐性向上
〇(M1)陳 強1、小林 拓真1、平井 悠久2、染谷 満1,2、岡本 光央2、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)
キーワード：
SiC MOSFET、負バイアス温度不安定性、チャネル移動度
ゲートストレスによってMOSFETのサブスレッショルドスイング及び移動度が劣化することが知られているが，ドライ酸化や業界標準のNO窒化プロセスでMOS構造を作製したSiC MOSFETではストレス印加に伴う劣化が顕著であるのに対して，超高温低酸素分圧試料では移動度最大値の劣化が14%程度に抑えられたことを確認し，超高温酸化はストレス耐性の観点でも優れたゲート酸化膜形成プロセスであることを報告する．
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