[19p-C41-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[19p-C41-6] In-situ Heating TEM Observation of Metal / SiC Contacts

〇SHOHEI HAYASHI¹, Junji Senzaki² (1.Toray Research Center, 2.AIST)

Keywords:

SiC,TEM

TEMによるその場観察は、極微小領域の構造変化を明確に捉えることが可能である。4H-SiCパワーデバイスのオーミック電極は、イオン注入により形成された高不純物濃度SiC領域上に金属成膜後、900℃以上の高温加熱処理によりコンタクト形成される。このアニール過程において、金属のシリサイド化や金属種によってはC（グラファイト）の析出が生じる。本講演では、金属/SiCコンタクトアニール過程のその場TEM観察を実施した結果を報告する。