[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:15 〜 14:30

[19p-C41-6] 金属/SiCコンタクトの加熱その場TEM観察

〇林 将平¹、先崎 純寿² (1.東レリサーチセンター、2.産総研)

キーワード：

SiC、透過電子顕微鏡

TEMによるその場観察は、極微小領域の構造変化を明確に捉えることが可能である。4H-SiCパワーデバイスのオーミック電極は、イオン注入により形成された高不純物濃度SiC領域上に金属成膜後、900℃以上の高温加熱処理によりコンタクト形成される。このアニール過程において、金属のシリサイド化や金属種によってはC（グラファイト）の析出が生じる。本講演では、金属/SiCコンタクトアニール過程のその場TEM観察を実施した結果を報告する。