[19p-C41-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-C41-7] Pt ohmic contacts on p-type SiC with low contact resistivity formed by 600°C-annealing process

〇Kotaro Kuwahara¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

SiC,Ohmic contact,Pt

現行のSiC デバイスプロセスにおける，Ti/Al電極形成後の高温熱処理(~1000℃)は電極溶融などの問題を引き起こすため，低温プロセスの確立が重要である．本研究では，比較的低温で熱処理を施したp型SiC上のPt電極の電気的特性やコンタクト抵抗率(𝜌_c)を評価し，600℃の熱処理を施したPt電極において3.2×10^–5 Ωcm²という低い𝜌_cが得られた．