講演情報
[19p-C41-7]600°C熱処理によるp型SiC上の低抵抗Ptオーム性電極の形成
〇桑原 功太朗1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
SiC、オーム性電極、Pt
現行のSiC デバイスプロセスにおける，Ti/Al電極形成後の高温熱処理(~1000℃)は電極溶融などの問題を引き起こすため，低温プロセスの確立が重要である．本研究では，比較的低温で熱処理を施したp型SiC上のPt電極の電気的特性やコンタクト抵抗率(𝜌c)を評価し，600℃の熱処理を施したPt電極において3.2×10–5 Ωcm2という低い𝜌cが得られた．
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