[19p-C42-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-C42-11] Internal quantum efficiency mapping measurements of highly pure GaN crystals

〇Koshi Sano¹, Hajime Fujikura², Taichiro Konno², Shota Kaneki², Shuhei Ichikawa¹, Kazunobu Kojima¹ (1.Osaka Univ., 2.Sumitomo Chemical Co. Ltd.)

Keywords:

GaN,internal quantum efficiency,carbon impurity

GaN系デバイスの実現にむけて、GaN結晶中の点欠陥(不純物や空孔など)の削減・定量は極めて重要である。我々はこれまでに、炭素不純物濃度と内部量子効率(IQE)の強い相関を示してきた。今回は石英フリーハライド気相成長法によって成長させた高純度GaN結晶に対してIQEマッピング測定を行った結果について報告する。