[19p-C42-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[19p-C42-11] 高純度GaN結晶の内部量子効率マッピング測定

〇佐野 昂志¹、藤倉 序章²、今野 泰一郎²、金木 奨太²、市川 修平¹、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.住友化学株式会社)

キーワード：

GaN、内部量子効率、炭素不純物

GaN系デバイスの実現にむけて、GaN結晶中の点欠陥(不純物や空孔など)の削減・定量は極めて重要である。我々はこれまでに、炭素不純物濃度と内部量子効率(IQE)の強い相関を示してきた。今回は石英フリーハライド気相成長法によって成長させた高純度GaN結晶に対してIQEマッピング測定を行った結果について報告する。