[19p-C42-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[19p-C42-6] Characterization of GaN bulk by photothermal deflection spectroscopy for quantitative analysis of defect density

〇Masatomo Sumiya¹, Hajime Fujikura², Yoshitaka Nakano³, Yasuo Koide¹, Toru Honda⁴ (1.NIMS, 2.SUMITOMO Chemical, 3.Chubu Univ., 4.Kogakuin Univ.)

Keywords:

bulk GaN,photothermal deflection spectroscopy,Steady-state photocapacitance spectroscopy

GaNバルク基板を光熱偏向分光法（photothermal deflection spectroscopy: PDS）で評価した後、同一試料をギャップ内準位の欠陥密度を定量評価できる定常光容量分光法（Steady-state photocapacitance spectroscopy: SSPC）で評価した。２つの手法で得られたスペクトルを比較することによってPDSからGaNバルクのギャップ内欠陥密度の定量的な評価について検討したので報告する。