[19p-C42-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:30 〜 14:45

[19p-C42-6] 光熱偏向分光法による欠陥密度定量化に向けたGaNバルク評価

〇角谷 正友¹、藤倉 序章²、中野 由崇³、小出 康夫¹、本田 徹⁴ (1.物材機構、2.住友化学㈱、3.中部大、4.工学院大)

キーワード：

GaNバルク、光熱偏向分光法、定常光容量分光法

GaNバルク基板を光熱偏向分光法（photothermal deflection spectroscopy: PDS）で評価した後、同一試料をギャップ内準位の欠陥密度を定量評価できる定常光容量分光法（Steady-state photocapacitance spectroscopy: SSPC）で評価した。２つの手法で得られたスペクトルを比較することによってPDSからGaNバルクのギャップ内欠陥密度の定量的な評価について検討したので報告する。