[19p-P05-1~33] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[19p-P05-14] Impedance characteristics of ZnGa₂O₄ thin films under deep UV irradiation

〇(M1)Reiya Kase¹, Ryunosuke Maeda¹, Yuya Oguma¹, Kazunuki Yamamoto², Satoshi Ishii¹ (1.Tokyo Denki Univ., 2.Chiba Univ.)

Keywords:

ZnGa2O4,impedance,grain boundary

ワイドバンドギャップ半導体ZnGa₂O₄（ZGO）を用いて薄膜を作製し，紫外線照射下の交流インピーダンス測定を行うことで，作製時のアニールによる結晶粒界の変化が電気特性に及ぼす影響を調査した．その結果，アニール温度の上昇とともにZGO結晶の粒界抵抗が増加していることが確認された．要因として結晶粒界近傍に別の構造が形成されたことが考えられる．