Presentation Information
[19p-P05-14]Impedance characteristics of ZnGa2O4 thin films under deep UV irradiation
〇(M1)Reiya Kase1, Ryunosuke Maeda1, Yuya Oguma1, Kazunuki Yamamoto2, Satoshi Ishii1 (1.Tokyo Denki Univ., 2.Chiba Univ.)
Keywords:
ZnGa2O4,impedance,grain boundary
ワイドバンドギャップ半導体ZnGa2O4（ZGO）を用いて薄膜を作製し，紫外線照射下の交流インピーダンス測定を行うことで，作製時のアニールによる結晶粒界の変化が電気特性に及ぼす影響を調査した．その結果，アニール温度の上昇とともにZGO結晶の粒界抵抗が増加していることが確認された．要因として結晶粒界近傍に別の構造が形成されたことが考えられる．
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