[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-14] ZnGa₂O₄薄膜における深紫外線照射下のインピーダンス特性

〇(M1)加瀬 伶也¹、前田 竜之介¹、小熊 佑弥¹、山本 和貫²、石井 聡¹ (1.東京電機大、2.千葉大院工)

キーワード：

ZnGa2O4、インピーダンス、結晶粒界

ワイドバンドギャップ半導体ZnGa₂O₄（ZGO）を用いて薄膜を作製し，紫外線照射下の交流インピーダンス測定を行うことで，作製時のアニールによる結晶粒界の変化が電気特性に及ぼす影響を調査した．その結果，アニール温度の上昇とともにZGO結晶の粒界抵抗が増加していることが確認された．要因として結晶粒界近傍に別の構造が形成されたことが考えられる．