[19p-P05-1~33] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[19p-P05-15] Fabrication and structural analysis of a r-Ge_xSn_1-xO₂/r-SnO₂ superlattice

〇Yui Takahashi¹, Hitoshi Takane¹, Takeru Wakamatsu¹, Yuki Isobe¹, Kentaro Kaneko², Katsuhisa Tanaka¹ (1.Kyoto Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

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ルチル型(r-) GeO₂は、4.7 eVのバンドギャップを持ち、p、n両極性ドーピングの可能性が理論予測されていることなどから、次世代パワー半導体材料として注目されている。また、r-SnO₂との混晶であるr-Ge_xSn_1-xO₂は特定の組成範囲でr-TiO₂基板上にコヒーレント成長できることからr-GeO₂あるいはr-SnO₂と組み合わせたヘテロ構造デバイスへの応用が期待される。そこで今回、ヘテロ接合界面における電子構造の調査を見据えて、r-Ge_xSn_1-xO₂/r-SnO₂超格子を作製し、構造解析を行った。