[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-15] r-Ge_xSn_1-xO₂/r-SnO₂超格子の作製と構造解析

〇高橋 由依¹、高根 倫史¹、若松 岳¹、磯部 優貴¹、金子 健太郎²、田中 勝久¹ (1.京大、2.立命館大)

キーワード：

薄膜成長

ルチル型(r-) GeO₂は、4.7 eVのバンドギャップを持ち、p、n両極性ドーピングの可能性が理論予測されていることなどから、次世代パワー半導体材料として注目されている。また、r-SnO₂との混晶であるr-Ge_xSn_1-xO₂は特定の組成範囲でr-TiO₂基板上にコヒーレント成長できることからr-GeO₂あるいはr-SnO₂と組み合わせたヘテロ構造デバイスへの応用が期待される。そこで今回、ヘテロ接合界面における電子構造の調査を見据えて、r-Ge_xSn_1-xO₂/r-SnO₂超格子を作製し、構造解析を行った。