[19p-P05-1~33] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[19p-P05-16] The effects of low-temperature buffer layer on NiO epilayer by RF reactive magnetron sputtering

〇Taisei Hattori¹, Mutsumi Sugiyama^1,2 (1.Tokyo Univ. Sci., 2.RIST)

Keywords:

NiO,Epitaxial growth,Low-temperature buffer layer

本研究では、RFリアクティブマグネトロンスパッタ法を用いてNiOエピタキシャル成膜を行い、NiO低温バッファ層の導入がNiOエピタキシャル薄膜へ与える影響の検討を行った。